logo

YouTube    Facebook    Twitter
Nama Produk :  
 
   
 
 

 
Dr. Lilik Hasanah, S.Si, M Si.
 

Dr. Lilik Hasanah, S.Si, M Si. - lahir di Purworejo pada tanggal 16 Juni 1977. Menyelesaikan pendidikan S1, S2 dan S3 di Institut Teknologi Bandung - Fisika Material Elektronik. Sampai saat ini sebagai dosen pada Jurusan Fisika FPMIPA Universitas Pendidikan Indonesia (UPI) Bandung; Dosen pada Jurusan Fisika Fakultas Tarbiyah dan Jurusan Fisika dan Teknik Elektro Fakultas Sains dan Teknologi Universitas Islam Negeri (UIN) Gunung Djati Bandung; dan dosen di Institut Teknologi Telekomunikasi (IT Telkom) Bandung.

Kolaborasi riset yang telah dilaksanakan di antaranya adalah sebagai Peneliti utama,  2009-2010, Pemodelan dan fabrikasi Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitor High-k dielektrik, Departemen Semikonduktor Elektronik dan Integrasi Sains, Program Pascasarjana Ilmu Materi Lanjutan, Hiroshima University, Jepang.

Publikasi telah ditulis, di antaranya:

  • Hasanah, L. and Khairurrijal: The effect of the Electron Velocity on the Tunneling Current throught the Si/Si1-xGex/Si Anisotropic Heterostructures; 2011; Siam Physics Congress 2011; Pattaya, Chonburi, Thailand;
  • Hasanah, L., Murakami, H., Khairurrijal, and Miyazaki, S. (2010): Parallel-perpendicular kinetic energy coupling effect on electron tunneling current in Al/HfO2/p-Ge and Al/SiO2/p-Si MOS diode with nanometer-thick diodes; 2010; The 3rd Nanoscience and nanotechnology Symposium;
  • Hasanah, L. and Khairurrijal (2010): Arus Terobosan pada Transistor Dwikutub Struktur Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik Melewati Basis Tergradasi (Graded Base); 2010; Berkala HFI;
  • Hasanah, L., dan Khairurrijal (2009): Perhitungan Arus Terobosan pada Transistor Dwikutub Sambungan Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik dengan Menggunakan Metode Matriks Transfer; 2009; Indonesian Journal of Materials Science, 287-291;
  • Sukirno, SZ Bisri, Irmelia, L. Hasanah, AB Suryamas, Mursal, Ida dan Usman: Comparison of Electronic Transport Parameter of CNT (10,10)/CNT(17,0) and CNT (5,5)/CNT(8,0) Carbon Nanotube Metal-Semiconducror On-Tube Heterojunction; 2006; ICSE 2006 International Conference on Semiconductor Electronics, e-Journal IEEE Xplore, 267-271;
  • Bisri. S. Z., Suryamas, A. B., Hasanah, L. and Sukirno: Simulation of Carbon Nanotube on-Tube Metal Semiconductur Heterojunction Electronic Properties; 2005; Indonesian Journal of Physics, 17, 21-29;
  • Bisri. S. Z., Hasanah, L. and Sukirno: Charge Distribution and Potential Profile in Nanometer Metallic Carbon Nanotubes-Semiconducting Carbon Nanotube Heterojunction    ; 2005; Proceeding of Asian Physics Symposium;
  • Sari, R. S, Bisri. S. Z., Hasanah, L. and Sukirno: Carbon Nanotube Fabrication Attempt: Our Recent Progress; 2005; Proceeding of 6th International Seminar on Microscopy and Microanalysis: “Nanotechnology and Its Application.

Riset yang telah dilaksanakan, di antaranya:

  • Pemanfaatan Bahan Lokal Mineral Yarosit untuk Sensor Gas, Penelitian Penguatan Kompetensi UPI, 2011;
  • Mekanisme Transport Listrik pada Detektor Ultraviolet Berbasis Semikonduktor GaN dengan Struktur Metal-Semikonduktor-Metal, Hibah Fundamental, 2009;
  • Fabrikasi Lapisan Tipis Nd-CeO2 untuk SOFC menggunakan teknik PLAD, Hibah Pascasarjana, 2005-2006;
  • Fabrikasi, Simulasi dan Karakterisasi CNT II, Riset Unggulan Fakultas FMIPA ITB, 2006;
  • Fabrikasi, Simulasi dan Karakterisasi CNT, Riset Unggulan Fakultas FMIPA ITB, 2005;
  • Diagnosa Kesulitan Mahasiswa dalam Perkuliahan Fisika Statistik ditinjau dalam Hal Kemampuan Matematika dan Fisikanya Penelitian Mandiri Jurusan Fisika FPMIPA UPI, Januari – April 2003;
  • Penumbuhan Film Tipis GaSb di atas Substrat GaAs dengan mengunakan Reaktor MOCVD Vertikal, Hibah Bersaing, Jurusan Fisika Laboratorium Fismatel ITB, 2000 – 2001.
 
.
Dr. Lilik Hasanah, S.Si, M Si.
Dr. Stanley P. Dewanto, M.Pd.
Dr. Yunita, M.Pd.
Dra. Asiah Soesy Soesilawaty M. Si.
Drs. Janto V. Sulungbudi
Haryanto Siahaan, M.Si.
Hendro, M.Si.
Kusnadi, M.Si.
Monika Raharti, M.Si.
Philips Nicolas Gunawidjaja, Ph.D.
Ridwan Efendi, M.Pd.