Dr. Lilik Hasanah, S.Si, M Si. - lahir di Purworejo pada tanggal 16 Juni 1977. Menyelesaikan pendidikan S1, S2 dan S3 di Institut Teknologi Bandung - Fisika Material Elektronik. Sampai saat ini sebagai dosen pada Jurusan Fisika FPMIPA Universitas Pendidikan Indonesia (UPI) Bandung; Dosen pada Jurusan Fisika Fakultas Tarbiyah dan Jurusan Fisika dan Teknik Elektro Fakultas Sains dan Teknologi Universitas Islam Negeri (UIN) Gunung Djati Bandung; dan dosen di Institut Teknologi Telekomunikasi (IT Telkom) Bandung.
Kolaborasi riset yang telah dilaksanakan di antaranya adalah sebagai Peneliti utama, 2009-2010, Pemodelan dan fabrikasi Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitor High-k dielektrik, Departemen Semikonduktor Elektronik dan Integrasi Sains, Program Pascasarjana Ilmu Materi Lanjutan, Hiroshima University, Jepang.
Publikasi telah ditulis, di antaranya:
Hasanah, L. and Khairurrijal: The effect of the Electron Velocity on the Tunneling Current throught the Si/Si1-xGex/Si Anisotropic Heterostructures; 2011; Siam Physics Congress 2011; Pattaya, Chonburi, Thailand;
Hasanah, L., Murakami, H., Khairurrijal, and Miyazaki, S. (2010): Parallel-perpendicular kinetic energy coupling effect on electron tunneling current in Al/HfO2/p-Ge and Al/SiO2/p-Si MOS diode with nanometer-thick diodes; 2010; The 3rd Nanoscience and nanotechnology Symposium;
Hasanah, L. and Khairurrijal (2010): Arus Terobosan pada Transistor Dwikutub Struktur Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik Melewati Basis Tergradasi (Graded Base); 2010; Berkala HFI;
Hasanah, L., dan Khairurrijal (2009): Perhitungan Arus Terobosan pada Transistor Dwikutub Sambungan Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik dengan Menggunakan Metode Matriks Transfer; 2009; Indonesian Journal of Materials Science, 287-291;
Sukirno, SZ Bisri, Irmelia, L. Hasanah, AB Suryamas, Mursal, Ida dan Usman: Comparison of Electronic Transport Parameter of CNT (10,10)/CNT(17,0) and CNT (5,5)/CNT(8,0) Carbon Nanotube Metal-Semiconducror On-Tube Heterojunction; 2006; ICSE 2006 International Conference on Semiconductor Electronics, e-Journal IEEE Xplore, 267-271;
Bisri. S. Z., Suryamas, A. B., Hasanah, L. and Sukirno: Simulation of Carbon Nanotube on-Tube Metal Semiconductur Heterojunction Electronic Properties; 2005; Indonesian Journal of Physics, 17, 21-29;
Bisri. S. Z., Hasanah, L. and Sukirno: Charge Distribution and Potential Profile in Nanometer Metallic Carbon Nanotubes-Semiconducting Carbon Nanotube Heterojunction ; 2005; Proceeding of Asian Physics Symposium;
Sari, R. S, Bisri. S. Z., Hasanah, L. and Sukirno: Carbon Nanotube Fabrication Attempt: Our Recent Progress; 2005; Proceeding of 6th International Seminar on Microscopy and Microanalysis: “Nanotechnology and Its Application.
Riset yang telah dilaksanakan, di antaranya:
Pemanfaatan Bahan Lokal Mineral Yarosit untuk Sensor Gas, Penelitian Penguatan Kompetensi UPI, 2011;
Mekanisme Transport Listrik pada Detektor Ultraviolet Berbasis Semikonduktor GaN dengan Struktur Metal-Semikonduktor-Metal, Hibah Fundamental, 2009;
Fabrikasi Lapisan Tipis Nd-CeO2 untuk SOFC menggunakan teknik PLAD, Hibah Pascasarjana, 2005-2006;
Fabrikasi, Simulasi dan Karakterisasi CNT II, Riset Unggulan Fakultas FMIPA ITB, 2006;
Fabrikasi, Simulasi dan Karakterisasi CNT, Riset Unggulan Fakultas FMIPA ITB, 2005;
Diagnosa Kesulitan Mahasiswa dalam Perkuliahan Fisika Statistik ditinjau dalam Hal Kemampuan Matematika dan Fisikanya Penelitian Mandiri Jurusan Fisika FPMIPA UPI, Januari – April 2003;
Penumbuhan Film Tipis GaSb di atas Substrat GaAs dengan mengunakan Reaktor MOCVD Vertikal, Hibah Bersaing, Jurusan Fisika Laboratorium Fismatel ITB, 2000 – 2001.
